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發(fā)布時(shí)間：2017/12/28
點(diǎn)擊次數(shù)：374
樣品平臺(tái)/平臺(tái) 型號(hào)：DP-SB120/1
樣品平臺(tái)/平臺(tái) 其中：DP-SB120線(xiàn)圈平臺(tái)及DP-SB120/1樣品平臺(tái)可分別對(duì)磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率行測(cè)試及研究。
該實(shí)驗(yàn)平臺(tái)由帶360º刻度的底盤(pán)，安裝在底盤(pán)內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤(pán)，安裝在底盤(pán)上的樣品平臺(tái)（低可調(diào)）以及安裝在樣品平臺(tái)上的四探針等組成DP-SB100/1樣品平臺(tái)。
DP-SB120線(xiàn)圈平臺(tái)主要增加了二個(gè)相型的亥姆霍茲磁場(chǎng)線(xiàn)圈，分別安置在樣品平臺(tái)的兩側(cè)，且固定在可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤(pán)兩邊上，樣品平臺(tái)位于磁場(chǎng)的中心，在其通電0-60V/的情況下，可確保產(chǎn)生磁場(chǎng)0-150奧斯特。
該實(shí)驗(yàn)平臺(tái)為被測(cè)樣品在磁場(chǎng)及非磁場(chǎng)情況下，對(duì)其的測(cè)試研究提供了方便。
當(dāng)前位置：
